福州·鼓楼区
职位详情
岗位职责
1.主导或深度参与设计：承担25GbpsDFB激光器、1577nmEML激光器及100Gbps（或更高）EML激光器芯片的结构设计、光电热仿真与性能优化，涵盖有源区、光栅、波导、电极、封装热力学等核心模块。
2.工艺开发与优化：主导或协同推进关键工艺环节（如MOCVD外延生长、光栅制备、对接耦合/选区生长、脊波导刻蚀、钝化处理、电极成形等）的研发、工艺改进与良率提升，攻克量产过程中的关键技术瓶颈。
3.流片管理：制定完整的流片方案（RunCard），统筹外协代工（Foundry）流程，确保设计方案精准落地制造环节。
4.芯片测试与分析：规划并实施芯片级（Bar/Die）和器件级（TO/CAN/BOX）的直流特性、高频性能（S参数、眼图、误码率BER）、光谱特性及可靠性测试。深入解析测试数据，识别性能限制因素与失效机理。
5.性能提升与问题解决：基于测试与失效分析结果，牵头开展设计迭代与工艺优化，持续提升器件关键指标（如斜率效率、阈值电流、带宽、消光比、眼图质量、可靠性及良率）。
6.可靠性评估：设计并执行高温老化试验（HTOL,HTRB等），分析失效模式，构建可靠性预测模型，保障产品满足高要求寿命标准。
7.技术文档：编写详实的设计文档、工艺规范、测试报告、失效分析报告以及技术专利文件。
8.跨部门协作：与工艺、封装、测试、产品工程及生产团队紧密配合，推动研发成果高效转化为量产能力。
9.技术前沿跟踪：持续关注高速半导体激光器领域的最新进展，包括新材料、新结构与先进工艺的发展趋势。
任职要求（硬性条件）
1.学历要求：硕士及以上学位，专业方向为半导体物理与器件、光电子学、微电子、材料科学与工程、应用物理等相关领域。
2.工作经验（必须满足）：
-硕士学历者：需具备至少3年及以上在半导体激光器（特别是DFB或EML）研发岗位的全职工作经验；
-博士学历者：需具备至少2年及以上在上述领域的全职研发经历。
3.核心经验要求（必须满足）：
具备以下任一方向的完整且可验证的研发成功经验（涵盖设计、流片、性能达标与优化）：
-25Gbps或更高速率DFB激光器芯片
-1577nm波段EML激光器芯片
-100Gbps（4x25G,1x100G）或更高速率EML激光器芯片
深入理解DFB/EML激光器的工作机制、关键性能参数、设计难点及制造流程。
具备从器件设计、仿真、流片到测试验证、问题定位、性能优化的全流程项目实践经验。
熟悉常用表征手段（LIV、光谱、RIN、带宽、眼图、BER）及其数据分析方法。
具备基本的失效分析（FA）能力与可靠性评估经验。
4.专业技能：
熟练掌握至少一种光电子器件仿真工具（如LumericalFDTD/MODE/INTERCONNECT、CrosslightPICS3D、SynopsysSentaurusTCAD等）；
熟练使用EDA软件进行版图设计（如L-Edit、KLayout等）；
具备良好的数据分析能力（熟练使用Python、MATLAB、JMP、OriginLab等工具）；
熟悉MOCVD外延、光刻、刻蚀、薄膜沉积、解理与镀膜等半导体工艺原理；
了解高速光电器件封装技术及其对器件性能的影响。
5.语言能力：具备良好的中英文读写能力，能够独立阅读和撰写专业技术文档。
优先考虑条件
1.曾在知名半导体激光器企业（如Lumentum,II-VI/Finisar,Broadcom,联亚光电、源杰科技、长光华芯、仕佳光子等）从事DFB/EML研发并取得实际成果。
2.具备O波段（尤其是1577nm）或C/L波段EML器件的设计与流片经验。
3.拥有高带宽（>28GHz）激光器的设计实践经历。
4.具备低功耗、高线性度激光器的设计能力。
5.有面向硅光集成或CPO应用场景的光源开发经验。
6.拥有相关技术领域的发明专利。
个人素质
具备出色的复杂问题分析与技术攻关能力。
责任心强，自我驱动力高，能在高强度环境下保持高效产出。
具备良好的沟通协调能力与团队合作意识。
热爱技术创新，具备批判性思维和严谨的科研态度。
注重细节，追求卓越品质。
我们提供
具有市场竞争力的薪酬待遇（薪资+奖金+股票期权/激励）。
参与前沿光电子技术研发与产品创新的机会。
专业的技术成长平台与清晰的职业发展路径。
开放协作、鼓励创新的工作环境。
完善的福利保障体系。
1.主导或深度参与设计：承担25GbpsDFB激光器、1577nmEML激光器及100Gbps（或更高）EML激光器芯片的结构设计、光电热仿真与性能优化，涵盖有源区、光栅、波导、电极、封装热力学等核心模块。
2.工艺开发与优化：主导或协同推进关键工艺环节（如MOCVD外延生长、光栅制备、对接耦合/选区生长、脊波导刻蚀、钝化处理、电极成形等）的研发、工艺改进与良率提升，攻克量产过程中的关键技术瓶颈。
3.流片管理：制定完整的流片方案（RunCard），统筹外协代工（Foundry）流程，确保设计方案精准落地制造环节。
4.芯片测试与分析：规划并实施芯片级（Bar/Die）和器件级（TO/CAN/BOX）的直流特性、高频性能（S参数、眼图、误码率BER）、光谱特性及可靠性测试。深入解析测试数据，识别性能限制因素与失效机理。
5.性能提升与问题解决：基于测试与失效分析结果，牵头开展设计迭代与工艺优化，持续提升器件关键指标（如斜率效率、阈值电流、带宽、消光比、眼图质量、可靠性及良率）。
6.可靠性评估：设计并执行高温老化试验（HTOL,HTRB等），分析失效模式，构建可靠性预测模型，保障产品满足高要求寿命标准。
7.技术文档：编写详实的设计文档、工艺规范、测试报告、失效分析报告以及技术专利文件。
8.跨部门协作：与工艺、封装、测试、产品工程及生产团队紧密配合，推动研发成果高效转化为量产能力。
9.技术前沿跟踪：持续关注高速半导体激光器领域的最新进展，包括新材料、新结构与先进工艺的发展趋势。
任职要求（硬性条件）
1.学历要求：硕士及以上学位，专业方向为半导体物理与器件、光电子学、微电子、材料科学与工程、应用物理等相关领域。
2.工作经验（必须满足）：
-硕士学历者：需具备至少3年及以上在半导体激光器（特别是DFB或EML）研发岗位的全职工作经验；
-博士学历者：需具备至少2年及以上在上述领域的全职研发经历。
3.核心经验要求（必须满足）：
具备以下任一方向的完整且可验证的研发成功经验（涵盖设计、流片、性能达标与优化）：
-25Gbps或更高速率DFB激光器芯片
-1577nm波段EML激光器芯片
-100Gbps（4x25G,1x100G）或更高速率EML激光器芯片
深入理解DFB/EML激光器的工作机制、关键性能参数、设计难点及制造流程。
具备从器件设计、仿真、流片到测试验证、问题定位、性能优化的全流程项目实践经验。
熟悉常用表征手段（LIV、光谱、RIN、带宽、眼图、BER）及其数据分析方法。
具备基本的失效分析（FA）能力与可靠性评估经验。
4.专业技能：
熟练掌握至少一种光电子器件仿真工具（如LumericalFDTD/MODE/INTERCONNECT、CrosslightPICS3D、SynopsysSentaurusTCAD等）；
熟练使用EDA软件进行版图设计（如L-Edit、KLayout等）；
具备良好的数据分析能力（熟练使用Python、MATLAB、JMP、OriginLab等工具）；
熟悉MOCVD外延、光刻、刻蚀、薄膜沉积、解理与镀膜等半导体工艺原理；
了解高速光电器件封装技术及其对器件性能的影响。
5.语言能力：具备良好的中英文读写能力，能够独立阅读和撰写专业技术文档。
优先考虑条件
1.曾在知名半导体激光器企业（如Lumentum,II-VI/Finisar,Broadcom,联亚光电、源杰科技、长光华芯、仕佳光子等）从事DFB/EML研发并取得实际成果。
2.具备O波段（尤其是1577nm）或C/L波段EML器件的设计与流片经验。
3.拥有高带宽（>28GHz）激光器的设计实践经历。
4.具备低功耗、高线性度激光器的设计能力。
5.有面向硅光集成或CPO应用场景的光源开发经验。
6.拥有相关技术领域的发明专利。
个人素质
具备出色的复杂问题分析与技术攻关能力。
责任心强，自我驱动力高，能在高强度环境下保持高效产出。
具备良好的沟通协调能力与团队合作意识。
热爱技术创新，具备批判性思维和严谨的科研态度。
注重细节，追求卓越品质。
我们提供
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参与前沿光电子技术研发与产品创新的机会。
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2026-06-24 14:25
IP属地：福建福州
职位福利
硕士3-5年
福建中科光芯光电科技有限公司
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