福州·鼓楼区
职位详情
岗位职责：
1. 主导/深度参与设计：负责25Gbps DFB激光器、1577nm EML激光器和100Gbps (及以上速率) EML激光器芯片的设计、仿真（光、电、热）和优化，包括有源区、光栅、波导、电极、封装热力学等关键结构。
2. 工艺开发与优化：领导或密切参与关键工艺模块（如MOCVD外延生长、光栅制作、对接耦合/选区生长、脊波导刻蚀、钝化、电极形成等）的开发、优化及良率提升，解决量产工艺中的关键技术难题。
3. 流片管理：制定详细的流片计划（Run Card），管理外协流片（Foundry）过程，确保设计准确无误地转化为制造。
4. 芯片测试与分析：设计并执行芯片级（Bar/Die）和器件级（TO/CAN/BOX）的直流、高频（S参数、眼图、误码率BER）、光谱、可靠性等测试方案。深入分析测试数据，定位性能瓶颈和失效根源。
5. 性能提升与问题解决：基于测试和失效分析结果，主导设计迭代和工艺改进方案，持续提升器件的关键性能指标（如斜率效率、阈值电流、带宽、消光比、眼图质量、可靠性、良率）。
6. 可靠性评估：设计并执行加速老化实验（HTOL, HTRB等），分析失效模式，建立可靠性模型，确保产品满足严苛的寿命要求。
7. 技术文档： 撰写详细的设计报告、工艺规范、测试报告、失效分析报告和技术专利。
8. 跨部门协作：与工艺、封装、测试、产品工程及生产部门紧密合作，确保研发成果顺利导入量产。
9. 技术前沿跟踪： 密切关注高速半导体激光器领域的最新技术、材料和工艺发展动态。
任职要求 (硬性要求)：
1. 学历： 硕士及以上学历，半导体物理与器件、光电子、微电子、材料科学与工程、应用物理等相关专业。
2. 工作经验 (必须满足)：
1）硕士学历：在半导体激光器（特别是DFB或EML）研发领域拥有至少3年及以上的全职工作经验。
2）博士学历： 在半导体激光器（特别是DFB或EML）研发领域拥有至少2年及以上的全职工作经验。
3. 核心经验要求 (必须满足)：
1）具备以下至少一个领域的、可证明的成功研发经验 (设计、流片、性能达标/优化)：
*25Gbps 或更高速率 DFB 激光器芯片
*1577nm 波段 EML 激光器芯片
*100Gbps (4x25G, 1x100G) 或更高速率 EML 激光器芯片
2）深度理解半导体激光器（DFB/EML）的工作原理、关键性能参数、设计挑战和制造工艺。
3）具有半导体激光器从设计、仿真、流片到测试、分析、问题解决、性能优化的完整项目经验。
4）熟练掌握半导体激光器常用的测试表征方法（LIV, Spectrum, RIN, Bandwidth, Eye Diagram, BER）及数据分析能力。
5）具备基本的半导体激光器失效分析（FA）能力和可靠性评估经验。
4. 专业技能：
1）熟练使用至少一种光电子器件仿真软件（如Lumerical FDTD/MODE/INTERCONNECT, Crosslight PICS3D, Synopsys Sentaurus TCAD 等）。
2）熟练使用EDA工具进行版图设计（如L-Edit, KLayout等）。
3）良好的数据分析能力（Python, MATLAB, JMP, OriginLab等）。
4）熟悉MOCVD外延、光刻、刻蚀、薄膜沉积、解理/镀膜等半导体工艺原理。
5）了解高速光电器件封装的基本知识及其对性能的影响。
5. 语言能力： 良好的中英文读写能力，能阅读和撰写技术文档。
优先考虑条件：
1. 有在知名半导体激光器公司（如Lumentum, II-VI/Finisar, Broadcom, 联亚光电、源杰科技、长光华芯、仕佳光子等）从事DFB/EML研发的成功经验。
2. 具有波长在O波段（特别是1577nm）或C/L波段的EML设计流片经验。
3. 具有高带宽（＞28 GHz）激光器设计经验。
4. 具有低功耗、高线性度激光器设计经验。
5. 具有硅光集成用光源或CPO相关光源开发经验。
6. 拥有相关领域的发明专利。
个人素质：
1.出色的分析问题和解决复杂技术难题的能力。
2.强烈的责任心和自驱力，能在压力下高效工作。
3.优秀的沟通能力和团队协作精神。
4. 对技术创新充满热情，具有批判性思维和严谨的科学态度。
5.注重细节，追求卓越。
我们提供：
1.具有市场竞争力的薪酬福利（薪资 + 奖金 + 股票期权/激励）。
2.参与前沿技术研发和产品创新的机会。
3.专业的技术成长平台和职业发展通道。
4.积极开放、协作创新的工作氛围。
5.完善的福利保障体系。
1. 主导/深度参与设计：负责25Gbps DFB激光器、1577nm EML激光器和100Gbps (及以上速率) EML激光器芯片的设计、仿真（光、电、热）和优化，包括有源区、光栅、波导、电极、封装热力学等关键结构。
2. 工艺开发与优化：领导或密切参与关键工艺模块（如MOCVD外延生长、光栅制作、对接耦合/选区生长、脊波导刻蚀、钝化、电极形成等）的开发、优化及良率提升，解决量产工艺中的关键技术难题。
3. 流片管理：制定详细的流片计划（Run Card），管理外协流片（Foundry）过程，确保设计准确无误地转化为制造。
4. 芯片测试与分析：设计并执行芯片级（Bar/Die）和器件级（TO/CAN/BOX）的直流、高频（S参数、眼图、误码率BER）、光谱、可靠性等测试方案。深入分析测试数据，定位性能瓶颈和失效根源。
5. 性能提升与问题解决：基于测试和失效分析结果，主导设计迭代和工艺改进方案，持续提升器件的关键性能指标（如斜率效率、阈值电流、带宽、消光比、眼图质量、可靠性、良率）。
6. 可靠性评估：设计并执行加速老化实验（HTOL, HTRB等），分析失效模式，建立可靠性模型，确保产品满足严苛的寿命要求。
7. 技术文档： 撰写详细的设计报告、工艺规范、测试报告、失效分析报告和技术专利。
8. 跨部门协作：与工艺、封装、测试、产品工程及生产部门紧密合作，确保研发成果顺利导入量产。
9. 技术前沿跟踪： 密切关注高速半导体激光器领域的最新技术、材料和工艺发展动态。
任职要求 (硬性要求)：
1. 学历： 硕士及以上学历，半导体物理与器件、光电子、微电子、材料科学与工程、应用物理等相关专业。
2. 工作经验 (必须满足)：
1）硕士学历：在半导体激光器（特别是DFB或EML）研发领域拥有至少3年及以上的全职工作经验。
2）博士学历： 在半导体激光器（特别是DFB或EML）研发领域拥有至少2年及以上的全职工作经验。
3. 核心经验要求 (必须满足)：
1）具备以下至少一个领域的、可证明的成功研发经验 (设计、流片、性能达标/优化)：
*25Gbps 或更高速率 DFB 激光器芯片
*1577nm 波段 EML 激光器芯片
*100Gbps (4x25G, 1x100G) 或更高速率 EML 激光器芯片
2）深度理解半导体激光器（DFB/EML）的工作原理、关键性能参数、设计挑战和制造工艺。
3）具有半导体激光器从设计、仿真、流片到测试、分析、问题解决、性能优化的完整项目经验。
4）熟练掌握半导体激光器常用的测试表征方法（LIV, Spectrum, RIN, Bandwidth, Eye Diagram, BER）及数据分析能力。
5）具备基本的半导体激光器失效分析（FA）能力和可靠性评估经验。
4. 专业技能：
1）熟练使用至少一种光电子器件仿真软件（如Lumerical FDTD/MODE/INTERCONNECT, Crosslight PICS3D, Synopsys Sentaurus TCAD 等）。
2）熟练使用EDA工具进行版图设计（如L-Edit, KLayout等）。
3）良好的数据分析能力（Python, MATLAB, JMP, OriginLab等）。
4）熟悉MOCVD外延、光刻、刻蚀、薄膜沉积、解理/镀膜等半导体工艺原理。
5）了解高速光电器件封装的基本知识及其对性能的影响。
5. 语言能力： 良好的中英文读写能力，能阅读和撰写技术文档。
优先考虑条件：
1. 有在知名半导体激光器公司（如Lumentum, II-VI/Finisar, Broadcom, 联亚光电、源杰科技、长光华芯、仕佳光子等）从事DFB/EML研发的成功经验。
2. 具有波长在O波段（特别是1577nm）或C/L波段的EML设计流片经验。
3. 具有高带宽（＞28 GHz）激光器设计经验。
4. 具有低功耗、高线性度激光器设计经验。
5. 具有硅光集成用光源或CPO相关光源开发经验。
6. 拥有相关领域的发明专利。
个人素质：
1.出色的分析问题和解决复杂技术难题的能力。
2.强烈的责任心和自驱力，能在压力下高效工作。
3.优秀的沟通能力和团队协作精神。
4. 对技术创新充满热情，具有批判性思维和严谨的科学态度。
5.注重细节，追求卓越。
我们提供：
1.具有市场竞争力的薪酬福利（薪资 + 奖金 + 股票期权/激励）。
2.参与前沿技术研发和产品创新的机会。
3.专业的技术成长平台和职业发展通道。
4.积极开放、协作创新的工作氛围。
5.完善的福利保障体系。
2026-05-20 13:15
IP属地：福建福州
职位福利
硕士3-5年
福建中科光芯光电科技有限公司
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