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【工作内容】
- 负责SiC超结MOS器件的工艺整合与性能优化,持续提升产品良率与可靠性;
- 参与器件结构设计及制程流程开发,推进新产品的工艺验证与量产落地;
- 配合研发团队攻克核心技术难题,解决制造过程中出现的关键工艺瓶颈;
- 编写相关技术文件,为客户端应用及技术支持提供工艺层面的解决方案。

【任职要求】
- 电子工程、材料科学或相关领域本科及以上学历;
- 掌握SiC功率器件基本原理与制造流程,具备超结MOS器件开发经验者优先考虑;
- 具备较强的沟通协调能力与团队合作意识,能独立完成技术研究与问题排查;
- 熟悉半导体工艺技术,具有实际PIE(工艺整合工程师)工作经验者更佳。
2026-07-21 15:18
IP属地:江苏扬州

职位福利

本科3-5年芯片设计研发SolidWorks
企业发布信息图
扬州扬杰电子科技股份有限公司
1000-9999人
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