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岗位职责
1. 根据指定工艺PDK,开展目标频段射频电路原理图设计:
• GaAs方向:L–Ku频段PA/LNA/Switch/混频器设计;
• GaN方向:S–Ka频段高功率PA及电源功放模块开发;
• InP方向:Ka–E波段LNA、高速CML驱动电路、ADC前端模拟设计;
2. 独立完成射频电路全定制版图布局,确保符合DRC/LVS规范,有效抑制寄生参数与电磁耦合干扰;
3. 协同内部代工产线,参与Tapeout评审,跟进工艺平台技术迭代;
4. 主导晶圆级及封装后测试工作,完成S参数、输出功率、噪声系数、热阻特性、高速眼图等关键性能验证;
5. 对比仿真与实测数据差异,进行失效机理分析并推动设计优化;主导HTOL/THB等可靠性考核流程。

任职资格
1、本科及以上学历,硕士优先考虑;微电子、电磁场与微波技术、电子工程、凝聚态物理、功率电子等相关专业背景;
2、具备3年以上特定材料体系射频/功率器件设计经验:
GaAs:具有PA/LNA/Switch全流程流片及量产经历,有L–Ku频段项目经验者优先;
GaN:具备大功率PA或固态放大器设计背景,有雷达、微波能源应用经验者优先;
InP:具备毫米波至太赫兹频段或100G以上高速模拟电路设计能力,熟悉超低噪声实现技术者优先;
3、熟练掌握ADS、Cadence Virtuoso、HFSS/Momentum/Sonnet等主流EDA工具;
4、扎实掌握相关材料体系的器件物理机制(如pHEMT/HBT/HEMT异质结特性、陷阱效应、热退化现象等);
5、精通射频链路预算分析,掌握噪声、线性度与效率协同优化方法,具备高速信号完整性分析能力。
2026-10-02 13:12
IP属地:安徽合肥

职位福利

本科5-10年射频电路设计
企业发布信息图
广东先导稀材股份有限公司
1000-9999人
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