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岗位职责
1. 根据指定工艺PDK,开展目标频段射频电路原理图设计:
• GaAs方向:L–Ku频段PA/LNA/Switch/混频器;
• GaN方向:S–Ka频段高功率PA、电源功放模块;
• InP方向:Ka–E波段LNA、高速CML驱动、ADC前端;

2. 完成射频电路全定制化版图布局,确保符合DRC/LVS规范,有效抑制寄生参数与电磁耦合影响;

3. 协同内部制造部门,参与Tapeout评审,跟进工艺平台持续优化与迭代;

4. 主导晶圆级及封装后测试工作,完成S参数、输出功率、噪声系数、热阻特性、高速眼图等关键性能验证;

5. 对比仿真与实测数据差异,进行失效机理分析并推动设计优化;负责HTOL/THB等可靠性试验推进。

任职资格
1、本科及以上学历,硕士优先;微电子、电磁场与微波技术、电子工程、凝聚态物理、功率电子等相关专业背景;

2、具备3年以上特定材料体系射频/功率器件设计经验:
GaAs:具有完整PA/LNA/Switch流片及量产经历,熟悉L–Ku频段者优先;
GaN:掌握大功率PA/固态功放设计流程,有雷达或微波电源应用背景者优先;
InP:具备毫米波/太赫兹或100G以上高速模拟电路经验,专注超低噪声设计者优先;

3、熟练操作ADS、Cadence Virtuoso、HFSS/Momentum/Sonnet等主流EDA工具;

4、扎实掌握对应材料体系的器件物理机制(如pHEMT/HBT/HEMT异质结结构、陷阱效应、热退化等);

5、精通射频链路预算分析,熟悉噪声、线性度与效率协同优化策略,掌握高速信号完整性设计方法。
2026-05-20 15:19
IP属地:安徽合肥

职位福利

本科5-10年射频电路设计
企业发布信息图
广东先导稀材股份有限公司
1000-9999人
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