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岗位职责:
1、负责砷化镓、氮化镓及磷化铟基射频功率放大器、低噪声放大器、开关等芯片的电路设计
2、开展电路仿真、版图布局及后续仿真验证工作
3、探索新型电路架构与设计方法,提升芯片整体性能
4、持续优化设计策略,推动产品性能升级
5、协同工艺团队,保障设计与制造工艺的有效匹配
6、完成上级交办的其他工作任务

岗位要求:
1、本科及以上学历,具备5年以上化合物半导体射频芯片设计经历,其中至少3年专注于砷化镓射频芯片实际项目,有氮化镓或磷化铟相关经验者优先
2、电子工程、微电子学或相关专业毕业,本科及以上学位
3、扎实掌握射频与微波电路理论基础
4、熟悉砷化镓、氮化镓、磷化铟等化合物半导体材料特性及其工艺流程
5、熟练掌握功率放大器、低噪声放大器、混频器、开关等射频电路的设计原理
6、熟练使用ADS、Cadence等EDA设计工具
2026-09-27 13:12
IP属地:安徽合肥

职位福利

本科3-5年放大器滤波器
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广东先导稀材股份有限公司
1000-9999人
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