职位详情
工作职责:
1、负责SiC MOSFET和SBD等功率器件的结构、工艺、版图设计;
2、负责SiC功率器件的仿真、电学特性分析及性能优化;
3、负责SiC高速器件性能评估及建模;
4、负责SiC功率器件新产品和新技术的开发、难点问题的突破。
任职要求:
1、硕士以上学历,电子类/物理类/半导体类相关专业;
2、有功率器件开发经验,有5年以上SiC功率器件开发经验者优先考虑;
3、掌握半导体物理和半导体器件、工艺的基础知识,熟练应用仿真、版图等相关软件;
4、可以与设备工艺、品质等负责人进行沟通,与相关部门密切合作,定义并解决影响产品设计及产品导入的系列问题;
5、优异的团队合作意识和沟通协调能力,抗压能力强
1、负责SiC MOSFET和SBD等功率器件的结构、工艺、版图设计;
2、负责SiC功率器件的仿真、电学特性分析及性能优化;
3、负责SiC高速器件性能评估及建模;
4、负责SiC功率器件新产品和新技术的开发、难点问题的突破。
任职要求:
1、硕士以上学历,电子类/物理类/半导体类相关专业;
2、有功率器件开发经验,有5年以上SiC功率器件开发经验者优先考虑;
3、掌握半导体物理和半导体器件、工艺的基础知识,熟练应用仿真、版图等相关软件;
4、可以与设备工艺、品质等负责人进行沟通,与相关部门密切合作,定义并解决影响产品设计及产品导入的系列问题;
5、优异的团队合作意识和沟通协调能力,抗压能力强
2026-04-28 09:40
IP属地:广东
职位福利
本科3-5年碳化硅8吋

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