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器件设计与仿真:负责SiCMOSFET、SBD等功率器件的元胞结构、终端保护结构的设计与优化;使用TCAD工具(如SentaurusSilvaco)进行电学、热学特性仿真与参数提取。
工艺开发与整合:参与或主导关键工艺模块(如栅氧生长、离子注入、高温退火、金属化等)的开发、优化与流程整合。
版图设计:使用L-Edit等版图工具进行器件和测试结构的版图设计与验证,确保设计规则的正确性。
流片与实验:撰写流片说明(Tap-out),与晶圆厂(Foundry)沟通协作,跟踪流片进度,并设计实验计划(DOE)以解决技术难题。
芯片测试与分析:对实验晶圆进行CP测试,分析电性参数(BVT,CV,Id-Vg,Ron,Ruggedness等),评估器件性能与可靠性。
失效分析:与FA团队合作,对失效芯片进行物理和电学分析,定位失效机理,并提出改进方案。
技术文档撰写:撰写详细的设计报告、工艺规范、测试报告及技术专利交底书。
工艺开发与整合:参与或主导关键工艺模块(如栅氧生长、离子注入、高温退火、金属化等)的开发、优化与流程整合。
版图设计:使用L-Edit等版图工具进行器件和测试结构的版图设计与验证,确保设计规则的正确性。
流片与实验:撰写流片说明(Tap-out),与晶圆厂(Foundry)沟通协作,跟踪流片进度,并设计实验计划(DOE)以解决技术难题。
芯片测试与分析:对实验晶圆进行CP测试,分析电性参数(BVT,CV,Id-Vg,Ron,Ruggedness等),评估器件性能与可靠性。
失效分析:与FA团队合作,对失效芯片进行物理和电学分析,定位失效机理,并提出改进方案。
技术文档撰写:撰写详细的设计报告、工艺规范、测试报告及技术专利交底书。
2025-11-19 14:44
IP属地:广东
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学历不限经验不限

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