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外延工艺研发：承担基于 InP、GaAs、GaN、SiGe、Si 及氧化物等半导体体系的分子束外延或金属有机化合物化学气相沉积工艺开发任务，开展生长参数优化，保障外延层在结构一致性、电学特性及成品率方面符合器件设计指标。
材料表征与反馈：采用高分辨率X射线衍射、光致发光、原子力显微镜、霍尔测试等技术手段对外延材料进行物理性能检测，结合测试数据指导工艺迭代，构建材料生长条件与性能表现之间的映射关系模型。
设备管理与维护：负责 MBE/MOCVD 设备的日常运行监控、定期维护及故障排查；制定并执行设备校准流程，确保真空环境、源炉/气体输送系统以及原位监测装置的稳定性和工艺重现性。
前沿技术探索：关注化合物半导体及新型氧化物材料外延技术的发展趋势，面向下一代光电子器件、功率器件或高频应用需求，规划并推进新型外延结构（如超晶格、量子阱、异质结等）的设计与生长验证。
协作与文档管理：协同芯片工艺、器件设计及测试团队开展跨环节技术对接，推动外延至器件的整体流程贯通；编制工艺技术文件、实验记录及专利技术方案，保障研发成果的可追溯性与成果转化可行性。
任职要求
学历背景：本科或硕士学历（能力优异的本科生亦可考虑），专业方向为半导体、物理、材料科学与工程、微电子、凝聚态物理等相关领域。
核心经验：具有 InP、GaAs、GaN、SiGe、Si 或氧化物半导体材料的外延生长实际操作经验；熟练掌握分子束外延或金属有机化合物化学气相沉积设备的使用与调控。
专业技能：理解半导体能带结构与异质结基本原理，具备将外延工艺参数与器件性能关联分析的能力。
外延工艺研发：承担基于 InP、GaAs、GaN、SiGe、Si 及氧化物等半导体体系的分子束外延或金属有机化合物化学气相沉积工艺开发任务，开展生长参数优化，保障外延层在结构一致性、电学特性及成品率方面符合器件设计指标。
材料表征与反馈：采用高分辨率X射线衍射、光致发光、原子力显微镜、霍尔测试等技术手段对外延材料进行物理性能检测，结合测试数据指导工艺迭代，构建材料生长条件与性能表现之间的映射关系模型。
设备管理与维护：负责 MBE/MOCVD 设备的日常运行监控、定期维护及故障排查；制定并执行设备校准流程，确保真空环境、源炉/气体输送系统以及原位监测装置的稳定性和工艺重现性。
前沿技术探索：关注化合物半导体及新型氧化物材料外延技术的发展趋势，面向下一代光电子器件、功率器件或高频应用需求，规划并推进新型外延结构（如超晶格、量子阱、异质结等）的设计与生长验证。
协作与文档管理：协同芯片工艺、器件设计及测试团队开展跨环节技术对接，推动外延至器件的整体流程贯通；编制工艺技术文件、实验记录及专利技术方案，保障研发成果的可追溯性与成果转化可行性。
任职要求
学历背景：本科或硕士学历（能力优异的本科生亦可考虑），专业方向为半导体、物理、材料科学与工程、微电子、凝聚态物理等相关领域。
核心经验：具有 InP、GaAs、GaN、SiGe、Si 或氧化物半导体材料的外延生长实际操作经验；熟练掌握分子束外延或金属有机化合物化学气相沉积设备的使用与调控。
专业技能：理解半导体能带结构与异质结基本原理，具备将外延工艺参数与器件性能关联分析的能力。
2026-06-23 13:35
IP属地：上海
职位福利
本科1-3年
广东先导稀材股份有限公司
1000-9999人
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