滁州·琅琊区
月结
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职位描述
外延工艺研发：承担基于 InP、GaAs、GaN、SiGe、Si 及氧化物等半导体体系的分子束外延或金属有机化学气相沉积工艺开发任务，开展生长参数优化与过程调控，保障外延层在结构一致性、电学特性及产出合格率方面符合器件设计指标。
材料表征与反馈：采用高分辨X射线衍射、光致发光谱、原子力显微镜、霍尔效应测试等技术手段对生长材料进行物理性能检测，结合分析数据指导工艺迭代，构建材料生长条件与性能表现之间的映射关系模型。
设备管理与维护：主导 MBE 与 MOCVD 设备的日常运行监控、预防性维护及故障排查；编制设备校准方案，维持真空环境、蒸发源/气体输送系统以及原位监测装置的稳定性和工艺重现性。
前沿技术探索：关注化合物半导体与先进氧化物外延技术的发展趋势，面向未来光电子器件、功率电子或高频应用需求，规划并执行新型异质结构（如超晶格、量子阱、异质结）的生长实验。
协作与文档管理：协同芯片工艺、器件设计与测试团队推进从外延材料到器件实现的全流程衔接；编写工艺说明文件、试验总结报告及专利技术资料，确保研发成果具备良好的可追溯性与转化基础。
任职要求
学历背景：本科或硕士学历（能力优异的本科生亦可考虑），专业方向为半导体物理、材料科学与工程、微电子学、凝聚态物理等相关领域。
核心经验：具有 InP、GaAs、GaN、SiGe、Si 或氧化物体系外延生长的实际操作经历；熟练掌握分子束外延或金属有机化学气相沉积系统的使用与调控。
专业技能：理解半导体能带结构原理与异质结工作机制，能够分析外延工艺参数对最终器件性能的影响关系。
外延工艺研发：承担基于 InP、GaAs、GaN、SiGe、Si 及氧化物等半导体体系的分子束外延或金属有机化学气相沉积工艺开发任务，开展生长参数优化与过程调控，保障外延层在结构一致性、电学特性及产出合格率方面符合器件设计指标。
材料表征与反馈：采用高分辨X射线衍射、光致发光谱、原子力显微镜、霍尔效应测试等技术手段对生长材料进行物理性能检测，结合分析数据指导工艺迭代，构建材料生长条件与性能表现之间的映射关系模型。
设备管理与维护：主导 MBE 与 MOCVD 设备的日常运行监控、预防性维护及故障排查；编制设备校准方案，维持真空环境、蒸发源/气体输送系统以及原位监测装置的稳定性和工艺重现性。
前沿技术探索：关注化合物半导体与先进氧化物外延技术的发展趋势，面向未来光电子器件、功率电子或高频应用需求，规划并执行新型异质结构（如超晶格、量子阱、异质结）的生长实验。
协作与文档管理：协同芯片工艺、器件设计与测试团队推进从外延材料到器件实现的全流程衔接；编写工艺说明文件、试验总结报告及专利技术资料，确保研发成果具备良好的可追溯性与转化基础。
任职要求
学历背景：本科或硕士学历（能力优异的本科生亦可考虑），专业方向为半导体物理、材料科学与工程、微电子学、凝聚态物理等相关领域。
核心经验：具有 InP、GaAs、GaN、SiGe、Si 或氧化物体系外延生长的实际操作经历；熟练掌握分子束外延或金属有机化学气相沉积系统的使用与调控。
专业技能：理解半导体能带结构原理与异质结工作机制，能够分析外延工艺参数对最终器件性能的影响关系。
2026-06-06 14:55
IP属地：安徽滁州
职位福利
本科经验不限半导体材料芯片
广东先导稀材股份有限公司
1000-9999人
工作地址
鱼泡安全保障
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