无锡·新吴区
职位详情
工作职责
1. 主导高压及中低压SiC MOS与GaN HEMT功率器件的完整研发流程，从需求分析、结构开发到性能验证全面把控。
2. 采用TCAD工具进行工艺与器件仿真，通过多轮参数优化提升器件性能，突破核心技术难点。
3. 开展器件电学特性测试，借助专业设备完成参数提取，精准识别并解析性能异常问题。
4. 牵头制定SiC MOS与GaN HEMT器件的可靠性评估方案，组织失效分析并推动改进措施，确保产品具备量产稳定性。
任职要求
1. 电子、物理或材料类相关专业硕士以上学历，具备坚实的理论基础。
2. 拥有3年以上功率半导体器件研发经历，熟练掌握SiC MOS与GaN HEMT的工作机制及性能特征。
3. 熟知宽禁带半导体制造工艺，具备SiC/GaN器件设计及代工流片实践经验。
4. 能够熟练操作TCAD仿真软件（如Sentaurus、Silvaco），完成工艺模拟与器件建模任务。
5. 具备SiC MOS或GaN HEMT量产项目实际参与者优先考虑。
6. 具备优秀的跨团队协作能力和问题处理能力，能有效推进项目执行与落地。
1. 主导高压及中低压SiC MOS与GaN HEMT功率器件的完整研发流程，从需求分析、结构开发到性能验证全面把控。
2. 采用TCAD工具进行工艺与器件仿真，通过多轮参数优化提升器件性能，突破核心技术难点。
3. 开展器件电学特性测试，借助专业设备完成参数提取，精准识别并解析性能异常问题。
4. 牵头制定SiC MOS与GaN HEMT器件的可靠性评估方案，组织失效分析并推动改进措施，确保产品具备量产稳定性。
任职要求
1. 电子、物理或材料类相关专业硕士以上学历，具备坚实的理论基础。
2. 拥有3年以上功率半导体器件研发经历，熟练掌握SiC MOS与GaN HEMT的工作机制及性能特征。
3. 熟知宽禁带半导体制造工艺，具备SiC/GaN器件设计及代工流片实践经验。
4. 能够熟练操作TCAD仿真软件（如Sentaurus、Silvaco），完成工艺模拟与器件建模任务。
5. 具备SiC MOS或GaN HEMT量产项目实际参与者优先考虑。
6. 具备优秀的跨团队协作能力和问题处理能力，能有效推进项目执行与落地。
2026-01-26 14:10
IP属地：江苏无锡
职位福利
硕士3-5年元器件设计元器件仿真元器件测试半导体SIC MOS研发GAN HEMT研发宽禁带半导体
无锡硅动力微电子股份有限公司
B轮 · 100-499人
工作地址
鱼泡安全保障
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