沙坪坝区
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重庆芯联微电子有限公司于2023年10月27日注册成立，公司聚焦国家半导体产业战略方向，坚持高端特色工艺差异化发展路径，融合“特色工艺+汽车电子”双轮驱动模式，面向汽车电子、5G通信、人工智能等国家战略新兴产业日益增长的应用需求，深入布局特色工艺技术领域。
重庆芯联12英寸集成电路特色工艺线项目（一期）技术节点涵盖55-40-28纳米，致力于突破先进特色工艺核心技术，以研发世界一流水平的车用、工业类高性能芯片为目标，推动全球科技产业链优化升级。
主要产品为：28nm-55nm车规级功率芯片（IGBT）
WAT电性测试助理工程师 直签
要求：年龄不超过28岁，本科及以上学历，理工科背景，具有一年以上半导体行业电性测试相关工作经验
WAT测试是在晶圆制造（前道工艺，Fab）全部完成后，针对整片晶圆实施的电性参数检测，属于晶圆厂（Fab）中的“工艺监控”环节。通常在晶圆完成所有光刻、刻蚀、沉积等制程步骤后（例如12英寸晶圆从投料到完工约需60至90天），进入封装工序前进行。
核心目标
监控工艺稳定性：通过测量晶圆上特定测试结构（如测试键，Test Key）的电学特性（如电阻、电容、击穿电压等），评估光刻、掺杂、金属化等关键工艺是否满足设计规范。
识别异常晶圆：若某片晶圆的WAT数据超出工艺允许范围（如因线宽过窄导致电阻显著上升），则标记为异常，需追溯并分析工艺偏差原因（如光刻设备对准误差）。
支持CP测试规划：WAT结果可用于预估晶圆整体良率，辅助制定后续CP测试的抽样方案或调整测试程序。
测试内容
主要针对晶圆上的专用测试结构（非功能芯片单元），常见测试参数包括：
金属互连层的方块电阻（Sheet Resistance）、接触孔电阻（Contact Resistance）；
晶体管的阈值电压（Vt）、饱和电流（Idsat）、关态漏电流（Ioff）；
氧化层的击穿电压（BV）、单位面积电容（Cox）等。
福利待遇
综合月薪：6K-10K（依据过往工作经历匹配度及学历情况综合评定）
五险一金、提供住宿、实行上二休二两班倒工作制，年度健康体检、餐费补贴、交通补助、带薪年休假等多项福利
重庆芯联12英寸集成电路特色工艺线项目（一期）技术节点涵盖55-40-28纳米，致力于突破先进特色工艺核心技术，以研发世界一流水平的车用、工业类高性能芯片为目标，推动全球科技产业链优化升级。
主要产品为：28nm-55nm车规级功率芯片（IGBT）
WAT电性测试助理工程师 直签
要求：年龄不超过28岁，本科及以上学历，理工科背景，具有一年以上半导体行业电性测试相关工作经验
WAT测试是在晶圆制造（前道工艺，Fab）全部完成后，针对整片晶圆实施的电性参数检测，属于晶圆厂（Fab）中的“工艺监控”环节。通常在晶圆完成所有光刻、刻蚀、沉积等制程步骤后（例如12英寸晶圆从投料到完工约需60至90天），进入封装工序前进行。
核心目标
监控工艺稳定性：通过测量晶圆上特定测试结构（如测试键，Test Key）的电学特性（如电阻、电容、击穿电压等），评估光刻、掺杂、金属化等关键工艺是否满足设计规范。
识别异常晶圆：若某片晶圆的WAT数据超出工艺允许范围（如因线宽过窄导致电阻显著上升），则标记为异常，需追溯并分析工艺偏差原因（如光刻设备对准误差）。
支持CP测试规划：WAT结果可用于预估晶圆整体良率，辅助制定后续CP测试的抽样方案或调整测试程序。
测试内容
主要针对晶圆上的专用测试结构（非功能芯片单元），常见测试参数包括：
金属互连层的方块电阻（Sheet Resistance）、接触孔电阻（Contact Resistance）；
晶体管的阈值电压（Vt）、饱和电流（Idsat）、关态漏电流（Ioff）；
氧化层的击穿电压（BV）、单位面积电容（Cox）等。
福利待遇
综合月薪：6K-10K（依据过往工作经历匹配度及学历情况综合评定）
五险一金、提供住宿、实行上二休二两班倒工作制，年度健康体检、餐费补贴、交通补助、带薪年休假等多项福利
2025-11-18 15:08
IP属地：重庆
职位福利
本科1-3年一年以上半导体经验28岁以内理工科
四川杰成人力资源服务有限公司
1000-9999人
工作地址
鱼泡安全保障
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