职位详情
岗位职责:
1、负责HBT结构与pHEMT结构外延工艺的开发及优化;
2、制定实验计划,验证新型外延工艺与结构性能;
3、调试生长参数,提升外延膜层均匀性与工艺重复性;
4、排查外延相关制程问题,提升产品良率;
5、开展缺陷溯源分析,定位根本原因并提出改善对策;
6、持续改进外延工艺,确保产品一致性和射频性能达标;
7、为工艺整合团队提供外延技术指导与支持;
8、参与整合方案讨论,输出外延环节专业建议;
9、协同处理跨部门外延相关工艺异常问题;
10、编制并更新外延工艺文件,涵盖流程规范与质控标准;
11、与设备团队紧密协作,明确工艺需求并反馈优化建议;
12、配合完成工艺相关设备的调试与性能优化;
13、参与新进设备的技术评估及工艺验证工作。
任职资格:
1、本科及以上学历,材料科学、机械工程或相关领域专业;
2、具备3-5年半导体制造后段工艺经验,其中至少2年砷化镓射频器件工艺背景;
3、掌握半导体后段工艺原理,熟悉研磨、减薄、键合等工序及相关设备;
4、理解砷化镓射频器件工作机理与性能指标,掌握常用材料分析与表征方法;
5、具备基础统计分析能力及实验设计知识。
1、负责HBT结构与pHEMT结构外延工艺的开发及优化;
2、制定实验计划,验证新型外延工艺与结构性能;
3、调试生长参数,提升外延膜层均匀性与工艺重复性;
4、排查外延相关制程问题,提升产品良率;
5、开展缺陷溯源分析,定位根本原因并提出改善对策;
6、持续改进外延工艺,确保产品一致性和射频性能达标;
7、为工艺整合团队提供外延技术指导与支持;
8、参与整合方案讨论,输出外延环节专业建议;
9、协同处理跨部门外延相关工艺异常问题;
10、编制并更新外延工艺文件,涵盖流程规范与质控标准;
11、与设备团队紧密协作,明确工艺需求并反馈优化建议;
12、配合完成工艺相关设备的调试与性能优化;
13、参与新进设备的技术评估及工艺验证工作。
任职资格:
1、本科及以上学历,材料科学、机械工程或相关领域专业;
2、具备3-5年半导体制造后段工艺经验,其中至少2年砷化镓射频器件工艺背景;
3、掌握半导体后段工艺原理,熟悉研磨、减薄、键合等工序及相关设备;
4、理解砷化镓射频器件工作机理与性能指标,掌握常用材料分析与表征方法;
5、具备基础统计分析能力及实验设计知识。
2026-06-02 12:19
IP属地:安徽滁州
职位福利
本科3-5年不需要出差其他试产工程师(NPI)经验

广东先导稀材股份有限公司
1000-9999人

工作地址

鱼泡安全保障
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